三星与长江存储合作，采用中国技术制造芯片

三星电子已与长江存储达成技术合作，计划于今年下半年开始运用中国的存储专利技术制造芯片。近日，三星与长江存储签订了关于NAND Flash“混合键合”技术的专利许可协议，该技术是实现400多层堆叠的关键。

三星预计将在2025年下半年，利用长江存储的专利技术，开始量产下一代V10 NAND芯片。此次三星选择引入长江存储的技术，主要因为后者在“混合键合”技术上处于世界领先地位。

经过内部评估，三星认为从V10 NAND起，其技术发展已无法回避长江存储的专利技术影响。这一合作不仅代表了国际科技巨头对中国技术创新的认可，也展示了中国在存储技术领域的进步和实力，标志着中国科技自主创新的显著成果。

乐玩编辑部
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